Оперативная память 128GB DDR4 ECC REG 3DS Micron 2666Mhz 8Rx4 [MTA144ASQ16G72PSZ-2S6]

Описание

Micron MTA144ASQ16G72PSZ-2S6 — 128 ГБ DDR4-2666 3DS ECC RDIMM

Micron MTA144ASQ16G72PSZ-2S6 — модуль 128 ГБ DDR4-2666 в исполнении 3DS RDIMM. Ёмкость набрана 144 кристаллами по 8 Гбит, собранными в 36 четырёхъярусных стеков (4H) с межслойными TSV-соединениями. Для контроллера модуль выглядит как 2 физических ранга, внутри каждого — по 4 логических, итого 8Rx4.

Особенности модуля

• Главное преимущество 3DS перед обычным четырёхранговым модулем — электрическая нагрузка: на шину выходит только нижний кристалл каждого стека, поэтому 128 ГБ на слот достигаются без просадки частоты, характерной для LRDIMM ранних поколений.
• Регистр (RCD) буферизует адрес, команды и тактовый сигнал, а 72-битная шина с ECC исправляет однобитовые и детектирует двухбитовые ошибки; x4-организация позволяет включить на платформе SDDC/ADDDC (восстановление при отказе целой микросхемы).

Совместимость

Частота 2666 МТ/с — штатная для Xeon Scalable первого поколения (Skylake-SP) и AMD EPYC 7001; на Cascade Lake модуль также работает на 2666. Типичная задача — узлы виртуализации и in-memory СУБД, где нужно 1,5–3 ТБ на двухсокетный сервер. Не смешивайте 3DS RDIMM с обычными RDIMM и LRDIMM в одной системе.

Варианты маркировки MTA144ASQ16G72PSZ-2S6

Модуль встречается под несколькими маркировками. Символы после кода скорости обозначают ревизию кристаллов, ревизию платы и вариант поставки; объём, частота, ранговость и тип модуля у всех вариантов одинаковые:

• MTA144ASQ16G72PSZ-2S6
• MTA144ASQ16G72PSZ-2S6E1

Характеристики Micron MTA144ASQ16G72PSZ-2S6

• Производитель: Micron
• Партномер: MTA144ASQ16G72PSZ-2S6
• Объём: 128 ГБ
• Тип модуля: 3DS RDIMM (регистровый, стековая сборка TSV)
• Стандарт: DDR4-2666 (PC4-21300)
• Пропускная способность (пик): 21 328 МБ/с (2666 × 8 байт)
• Организация: 8Rx4 (2S4Rx4, 3DS 4H)
• DRAM: 144 кристаллов по 8 Гбит
• Напряжение: 1,2 В
• ECC: да
• Разъём: 288-pin DIMM